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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT29C8G96MAZBADKD-5 WT 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要面向高端计算和服务器应用。该型号具有大容量和高速传输特性,适用于需要高带宽和低延迟内存的系统。 其主要应用场景包括: 1. 服务器与数据中心:用于提升服务器处理能力和数据响应速度,支持大规模数据库、云计算及虚拟化应用的高效运行。 2. 高性能计算(HPC):适用于科学计算、仿真分析、人工智能训练等需要大量内存和快速数据处理的场景。 3. 网络设备:如高端路由器和交换机,用于提升数据包处理能力和系统稳定性。 4. 工业与嵌入式系统:在需要高可靠性和长时间稳定运行的工业控制、自动化设备中也有应用。 5. 企业级存储系统:用于提升存储阵列和NAS/SAN设备的缓存性能,加快数据读写速度。 该产品具备良好的稳定性和兼容性,适合对系统性能和可靠性有高要求的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH/LPDRAM 12GBIT |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT29C8G96MAZBADKD-5 WT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 168-VFBGA(12x12) |
| 包装 | 散装 |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND,移动 LPDRAM |
| 存储容量 | 8G (512M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDRAM) |
| 封装/外壳 | 168-VFBGA |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 速度 | 200MHz |